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Anfrage Silizium Wafer
Growing:
CZ
FZ
Grade:
Prime
Test
Monitor
Dummy
Optical
SOI Substrate
Mems Substrate
Bondable
Any
Diameter:
25,4
50,8
76,2
100
125
150
200
300
other
mm
±
0.05
0.10
0.20
0.50
1.00
mm
Type/Dopant:
P/Bor
N/Phos
N/Sb
N/As
NTD
Intrinsic
Undoped
Orientation:
<1-0-0>
<1-1-1>
<1-1-0>
other
Resistivity:
ohmcm
Thickness:
275
381
525
625
675
725
775
other
µm
±
5
10
15
20
25
50
other
µm
Finish:
DS Polish
SS Polish
As Etch
As Cut
As Lap
Any
Flatness (TTV):
<1
<2
<3
<5
<10
<15
<20
N/A
µm
Bow-Warp:
<10
<20
<30
<40
<60
<100
N/A
µm
Particles:
<10
<20
<30
<50
N/A
ea
@
0.12
0.16
0.2
0.3
0.5
1.0
N/A
µm
Primary Flat:
None
Semistandard
Jeida
Notch
@
<1-0-0>
<1-1-1>
<1-1-0>
other
plan
Secondary Flat:
None
90 deg. CW
135 deg. CW
180 deg. CW
270 deg. CW
from primary flat
Lieferung der Silizium Wafer
Anzahl:
Stück
Wunschtermin:
1 Woche
2 Wochen
3 Wochen
4 Wochen
6 Wochen
Details/Bemerkungen zu Silizium Wafer:
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