SOI-Wafer

Wir haben langjährige Erfahrungen in der SOI-Technologie. Höchste Leistungsfähigkeit machen sie für spezielle Anwendungen zum Produkt der Wahl.
Ihre individuellen Anforderungen erfüllen wir bereits in Kleinmengen. Bei der Auswahl der für Ihre Anwendung passenden Spezifikationen beraten wir Sie gerne.

Rufen Sie uns gerne an unter +49-(0)8191-478747 oder kontaktieren Sie uns per E-Mail.

Folgende SOI-Wafern können wir Ihnen anbieten

SOI (Silicon on Insulator)

Fusion-Bonded

SOI bezeichnet einen speziellen Isolierschicht-Feldeffekttransistor. Hierbei wird eine dünne Siliziumschicht durch eine isolierende Schicht (Buried-Thermal-Oxide, BOX) vom Silizium-Substrat getrennt. Diese Schichtstruktur bietet verbesserte elektrische Isolation, reduzierte parasitäre Kapazitäten und ermöglicht eine höhere Leistungsfähigkeit von integrierten Schaltkreisen und anderen Halbleiterbauelementen.

Aufbau SOI-Wafer

Ein SOI-Wafer besteht typischerweise aus drei Hauptschichten:

Device Layer:
Die oberste Schicht des SOI-Wafers besteht aus einer dünnen Schicht hochreinem Silizium, die als aktiver Bereich für die Herstellung von Halbleiterbauelementen dient. Diese Siliziumschicht kann normalerweise Dicken im Bereich von wenigen Nanometern bis zu einigen Mikrometern haben, je nach den Anforderungen der Anwendung.

Buried Thermal Oxide (BOX):
Unterhalb der aktiven Siliziumschicht befindet sich eine isolierende Schicht, die üblicherweise aus Siliziumdioxid (SiO2) besteht. Diese Isolierschicht trennt die aktive Siliziumschicht von dem darunter liegenden Substrat und verhindert elektrische Wechselwirkungen und Leckströme zwischen den Schichten.

Handle Wafer:
Das unterste Substrat des SOI-Wafers besteht aus einem Siliziumsubstrat, das als mechanische Unterstützung und strukturelle Basis für die dünnen Schichten dient. Das Trägersubstrat kann in der Regel eine Standard Siliziumwafer Struktur aufweisen.

Einsatzgebiete unserer SOI-Wafer (Silicon on Insulator):

Halbleiterindustrie

SOI-Wafer werden in der Halbleiterfertigung eingesetzt, um Hochleistungs- und energieeffiziente integrierte Schaltkreise (ICs) herzustellen. Die isolierende Schicht (Insulator) zwischen dem oberen Silizium-Layer und dem Siliziumsubstrat reduziert parasitäre Kapazitäten und verbessert die Schaltgeschwindigkeit und Energieeffizienz von ICs.

Optoelektronik

In der Optoelektronik werden SOI-Wafer für die Herstellung von optischen Bauelementen wie optischen Modulatoren, photonischen integrierten Schaltkreisen und optischen Sensoren verwendet. Die SOI-Struktur ermöglicht eine präzise Steuerung des Lichts und bietet eine Plattform für die Integration von optischen und elektronischen Komponenten auf einem Chip.

Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik

SOI-Wafer werden auch in der Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik eingesetzt, beispielsweise für die Herstellung von Hochfrequenzschaltkreisen, Hochleistungsverstärkern und HF-Komponenten. Die SOI-Struktur ermöglicht eine bessere Isolation zwischen den Bauelementen und reduziert Störungen und Verluste in den Schaltkreisen.

MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)

SOI-Wafer werden auch in der MEMS-Technologie verwendet, um mikroelektromechanische Systeme herzustellen, wie beispielsweise Drucksensoren, Beschleunigungssensoren, Gyroskope und Mikromotoren. Die SOI-Struktur ermöglicht präzise mechanische Bewegungen und Sensoroperationen aufgrund der isolierten Siliziumschicht.

Typische SOI Wafer Spezifikationen:

Diameter:
76,2mm
100mm
125mm
150mm
200mm

Device Layer:
1,5μm – 600μm

BOX-Layer:
10nm – 10μm

Handle Layer:
300μm – 2000μm

Bonding Method:
Fusion-Bonded

Handle Wafer:
Diameter: 76,2 mm – 200mm
Type/Dopant: P/Bor, N/Phos, N/Sb, N/As, Undoped, Intrinsic
Orientation: <100>, <111>, <110>
Resistivity: 0,001 – 50,000ohmcm
Edge Exclusion: 5 mm
Surface Finish: SSP, DSP