Dünnschichten & Oxide

Si-Mat bietet neben den vielfältigen Produkten auch spezielle Zusatz- oder Nachbehandlungen an. Unsere Kunden vertrauen besonders auch auf diese von uns angebotene Dienstleistung. Diese werden von unseren Profis ausgeführt und damit Ihre ganz individuelle Spezifikation gefertigt.

Si-Mat liefert die unterschiedlichsten Wafer.
Bei speziellen Anforderungen nehmen Sie bitte gerne Kontakt mit uns auf.

Oxide:

  • Thermische Oxide (Trocken oder feucht/thermisch)
  • Low Temperature Oxide (LTO)
  • PETEOS (Plasma Enhanced Tetraethylorthosilicate)

Oxid Spezifikationen

  • SiO2 Dicke: 20 nm bis 15 µm
  • Toleranz: +/- 5 %
  • Wafer Uniformität: +/- 3 % oder besser
  • Beidseitige Beschichtung
  • Refractive Index: 1,456
  • Film Stress: -320 MPa (Compressive)
  • Wafer-Durchmesser: 50,8 mm bis 300 mm
  • Wafer-Dicke: 70 µm – 2000 µm
  • Wafer-Material: Silicon, Silicon on Insulator, Quartz
  • Temperatur: 950 C° – 1050 C°
  • Gase: Steam
  • Equipment: Horizontal Furnace

LPCVD Nitride:

Stoichiometric LPCVD Nitride Process Parameter:

  • Schicht-Dicke: 10 nm – 450 nm
  • Schicht-Uniformität: +/- 5 %
  • Refractive Index: 2,00 +/- .05 @ 632 nm
  • Film stress: >800 MPa Tensile Stress
  • Wafer-Durchmesser: 50,8 mm bis 200 mm
  • Temperatur: 800 C°
  • Gase: Dichlorosilane, Ammonia
  • Equipment: Horizontal Vacuum Furnace

LOW STRESS LPCVD Nitrid Parameter:

Schicht-Dicke: 70 nm – 2000 nm

    • Schicht-Uniformität: +/- 5 %
    • Wafer-Durchmesser: 50,8 mm bis 200 mm
    • Refractive Index: 2,20 +/- .02
    • Film Stress: <250 MPa Tensile Stress
    • Wafer-Dicke: 100 µm – 2000 µm
    • Wafer Material: Silicon, Silicon on Insulator, Quartz
    • Temperatur: 820 C°
    • Gase: Dichlorosilane, Ammonia
    • Equipment: Horizontal Vacuum Furnace

Standard und Low Stress PECVD Nitride Films

Spezifikationen:

  • Schicht-Dicke: 10 nm – 2 µm
  • Schicht-Toleranz +/- 7%
  • Einseitig beschichtet
  • Einzel-Prozess
  • Refractive index: 1,98+/- .05
  • Film Stress: <200 MPa(Low Stress), +400MPa (Standard)
  • Wafer-Durchmesser: 50,8 mm bis 300 mm
  • Wafer-Dicke: 100 µm – 2000 µm
  • Wafer-Material: Silicon, Silicon on Insulator, Quartz
  • Temperatur: 300 C° – 400 C°
  • Gase: Silane, Ammonia, Nitrogen
  • Equipment: PlasmaTherm batch PECVD deposition tool

 

Unsere gängigen „Sputtered Films“:

  • Titanium
  • Chrome
  • Aluminum
  • Aluminum Copper
  • Aluminum Silicon
  • Copper
  • Nickel
  • Tantalum
  • Tungsten
  • Silicon

Spezifikationen

    • Schicht-Dicke: 10 nm – 1,5 µm
    • Schicht-Toleranz: +/- 10%
    • Einseitige Beschichtung
    • Wafer-Durchmesser: 50,8mm bis 300mm
    • Gase: Argon, Nitrogen
    • Equipment: Sputter deposition tool
  • PVD, CVD, and Electro-plated
  • Ta, TaN, Ti, TiN, TiW, W, WN,
  • Cu, Al, Al-Cu, Al-Si-Cu
  • Precious Metals